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FQD7N20LTM

FQD7N20LTM

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

非準拠

FQD7N20LTM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.33212 -
5,000 $0.31043 -
12,500 $0.29959 -
25,000 $0.29368 -
2045 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 750mOhm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 500 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

BUK9E4R4-80E,127
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$0 $/ピース
AUIRFS4010-7P
IXTH52P10P
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$0 $/ピース
APT5010JVRU3
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$0 $/ピース
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STF100N6F7
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IXTP02N50D
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FQPF7P06
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SISA18ADN-T1-GE3
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$0 $/ピース

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