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IRF626

IRF626

IRF626

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF626 データシート

compliant

IRF626 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
997 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 275 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.1Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 340 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

SIA413ADJ-T1-GE3
SIA413ADJ-T1-GE3
$0 $/ピース
IPL60R060CFD7AUMA1
2SK1636STR-E
RF1S17N06LSM
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$0 $/ピース
BSS139IXTMA1
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$0 $/ピース
IPC60R165CPX1SA4
IPB45N06S4L08ATMA3
NVMFWS021N10MCLT1G
NVMFWS021N10MCLT1G
$0 $/ピース
DMTH61M8LPSQ-13
IMBG65R022M1HXTMA1

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