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RF1S630SM

RF1S630SM

RF1S630SM

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S630SM データシート

compliant

RF1S630SM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
2098 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

RQ7L055BGTCR
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$0 $/ピース
DMN2451UFB4Q-7R
DMN10H220LQ-7
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$0 $/ピース
N0436N-ZK-E1-AY
G1002L
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$0 $/ピース
IXFT320N10T2-TRL
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$0 $/ピース
DMTH8012LPSW-13
STU3N65M6
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DMNH6009SPS-13
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$0 $/ピース
DMN2055UW-7
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$0 $/ピース

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