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DMC2057UVT-7

DMC2057UVT-7

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Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

非準拠

DMC2057UVT-7 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel Complementary
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta), 3.3A (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
パワー - 最大 700mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ TSOT-26
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