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DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

非準拠

DMN2016UTS-13 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.24765 -
5,000 $0.23335 -
12,500 $0.21905 -
25,000 $0.20904 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.58A
rds オン (最大) @ id、vgs 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16.5nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1495pF @ 10V
パワー - 最大 880mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-TSSOP
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