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DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

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Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

非準拠

DMN61D8LVT-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.20307 -
6,000 $0.19135 -
15,000 $0.17962 -
30,000 $0.17141 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 630mA
rds オン (最大) @ id、vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.74nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 12.9pF @ 12V
パワー - 最大 820mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ TSOT-26
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