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DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

非準拠

DMN63D1LDW-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.07840 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 250mA
rds オン (最大) @ id、vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.3nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 30pF @ 25V
パワー - 最大 310mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
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