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IPB123N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

非準拠

IPB123N10N3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.89527 -
2,000 $0.83353 -
5,000 $0.80266 -
10,000 $0.78582 -
1502 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 58A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12.3mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 46µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2500 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 94W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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