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IPB60R190C6ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK

非準拠

IPB60R190C6ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.62609 -
2,000 $1.54478 -
5,000 $1.48671 -
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 630µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1400 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 151W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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