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IRF1310NSPBF-INF

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HEXFET POWER MOSFET

compliant

IRF1310NSPBF-INF 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 42A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1900 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 160W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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SI5499DC-T1-GE3
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IRF520NSPBF
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NTLUS3A18PZCTAG
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NTF3055-100T3LF
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STU12N65M5
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