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IRF6616TR1PBF

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MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

非準拠

IRF6616TR1PBF 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Ta), 106A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.25V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3765 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MX
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