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IRL2203NPBF-INF

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HEXFET POWER MOSFET

非準拠

IRL2203NPBF-INF 価格と注文

単価 外貨価格
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1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 116A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3290 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 180W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

AOI4130
IRFR9120NTRL
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SI7136DP-T1-GE3
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IXTV230N085TS
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ZVN3310ASTOB
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