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IXFH60N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD

IXFH60N20 データシート

非準拠

IXFH60N20 価格と注文

単価 外貨価格
30 $10.15667 $304.7001
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 33mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 4mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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