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IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

非準拠

IXFN32N100Q3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $45.51000 $45.51
10 $42.55800 $425.58
100 $36.90000 $3690
10 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 28A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 6.5V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 195 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9940 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 780W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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