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IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

IXYS

MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B

非準拠

IXFN62N80Q3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $43.16000 $43.16
10 $40.36100 $403.61
100 $34.99500 $3499.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 49A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 140mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 6.5V @ 8mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 13600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 960W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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