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IXTQ110N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 110A TO3P

非準拠

IXTQ110N10P 価格と注文

単価 外貨価格
30 $4.41000 $132.3
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 110A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3550 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 480W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
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関連部品番号

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RTR030P02HZGTL
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$0 $/ピース
CSD17578Q3A
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$0 $/ピース
CSD13303W1015
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