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FDB150N10

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

FDB150N10 データシート

非準拠

FDB150N10 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.82734 $1461.872
1,600 $1.71183 -
2,400 $1.63096 -
5,600 $1.57320 -
2 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 57A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 15mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4760 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 110W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

STP4N52K3
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$0 $/ピース
NVMFS6H800NLWFT1G
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SQJ126EP-T1_GE3
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$0 $/ピース
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AO4468
NTD4856NT4G
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$0 $/ピース
FDAF75N28
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$0 $/ピース
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TPH2900ENH,L1Q

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