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FQT4N20LTF

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

非準拠

FQT4N20LTF 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.23529 -
8,000 $0.22011 -
12,000 $0.20493 -
28,000 $0.19430 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 850mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.2 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 310 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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