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NTD5C648NLT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK

非準拠

NTD5C648NLT4G 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.16023 -
5,000 $1.11726 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A (Ta), 91A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.1mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2900 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.4W (Ta), 76W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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