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RQ3E180BNTB1

RQ3E180BNTB1

RQ3E180BNTB1

Rohm Semiconductor

NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:

非準拠

RQ3E180BNTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.68221 $0.68221
500 $0.6753879 $337.69395
1000 $0.6685658 $668.5658
1500 $0.6617437 $992.61555
2000 $0.6549216 $1309.8432
2500 $0.6480995 $1620.24875
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Ta), 39A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3500 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 20W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

APTM100UM65DAG
R6024KNXC7G
R6024KNXC7G
$0 $/ピース
DMP1008UCB9-7
DMP1008UCB9-7
$0 $/ピース
2SK3057-AZ
2SK1850(0)-T-AZ
MCAC38N10YHE3-TP
PXP6R1-30QLJ
PXP6R1-30QLJ
$0 $/ピース
IXFL34N100
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$0 $/ピース
DMT10H032LFVW-13
IPA320N20NM3SXKSA1

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