ichome.comへようこそ!

logo

STU12N60M2

STU12N60M2

STU12N60M2

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 9A IPAK

非準拠

STU12N60M2 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.89613 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 538 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 85W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

BSO201SPHXUMA1
C3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR
$0 $/ピース
AO7407
IPD100N06S403ATMA2
NTD4810NHT4G
NTD4810NHT4G
$0 $/ピース
IRFR430APBF
IRFR430APBF
$0 $/ピース
STL3NM60N
STL3NM60N
$0 $/ピース
SISHA12ADN-T1-GE3
SISHA12ADN-T1-GE3
$0 $/ピース
2SK2372(1)-A
FQP50N06
FQP50N06
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。