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SI3443DDV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP

非準拠

SI3443DDV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.09900 -
6,000 $0.09350 -
15,000 $0.08525 -
30,000 $0.07975 -
75,000 $0.07150 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta), 5.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 8 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 970 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3
$0 $/ピース
IRLIZ14GPBF
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RRH040P03TB1
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IXTP96P085T
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PSMN008-75B,118
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FDA70N20
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FQD60N03LTM
IRFR120TRRPBF
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$0 $/ピース

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