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SI5513DC-T1-GE3

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SI5513DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

非準拠

SI5513DC-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.1A, 2.1A
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
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