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SIHG35N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

非準拠

SIHG35N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.38000 $7.38
10 $6.58900 $65.89
100 $5.40300 $540.3
500 $4.37510 $2187.55
1,000 $3.68984 -
2,500 $3.50535 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2760 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

CSD18511KTT
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NVTYS007N04CTWG
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SIS412DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
STN1HNK60
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FDP038AN06A0
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SSM3K329R,LF
DMP2305U-7
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IPP052N06L3GXKSA1
DMN2022UFDF-13
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