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SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB

非準拠

SIHP11N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.12000 $2.12
500 $2.0988 $1049.4
1000 $2.0776 $2077.6
1500 $2.0564 $3084.6
2000 $2.0352 $4070.4
2500 $2.014 $5035
937 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 804 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

TN2124K1-G
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$0 $/ピース
R8003KND3TL1
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IRFL9014TRPBF-BE3
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$0 $/ピース
IRFSL7440PBF
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$0 $/ピース
IXTX8N150L
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$0 $/ピース
IPZ40N04S53R1ATMA1
BSP716NH6327XTSA1
PJL9404_R2_00001
LSIC1MO170E0750
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$0 $/ピース
STD3N62K3
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$0 $/ピース

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