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SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

compliant

SIR838DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 33mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2075 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

HUFA76429D3ST-F085
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SI2341DS-T1-E3
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DKI04077
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SPD35N10
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NTD30N02T4
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FQPF5N50CT
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IRF9Z24STRR
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FQPF13N50C_F105
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