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SIRA20BDP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

非準拠

SIRA20BDP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 82A (Ta), 335A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 186 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9950 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

FQPF18N50V2SDTU
RJK1053DPB-00#J5
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RX3G07CGNC16
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$0 $/ピース
UF3C065080T3S
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$0 $/ピース
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SI2377EDS-T1-BE3
SI2377EDS-T1-BE3
$0 $/ピース
SIS782DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
IPB65R110CFDATMA1
CSD19503KCS
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$0 $/ピース

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