ichome.comへようこそ!

logo

SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK

非準拠

SISH106DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.81344 -
6,000 $0.77525 -
1492 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

STD44N4LF6
STD44N4LF6
$0 $/ピース
IPB032N10N5ATMA1
STB6N80K5
STB6N80K5
$0 $/ピース
APTM100UM65SAG
PJQ4460AP_R2_00001
IRF6715MTRPBF
NTMSD3P102R2SG
NTMSD3P102R2SG
$0 $/ピース
IRFTS9342TRPBF
TPH1R306PL1,LQ
PJW7N04_R2_00001

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。