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SQJ560EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

非準拠

SQJ560EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc), 18A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1650pF @ 25V
パワー - 最大 34W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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