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SUP50N03-5M1P-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB

非準拠

SUP50N03-5M1P-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.1mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2780 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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IRL3714STRR
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