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SUP60030E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

非準拠

SUP60030E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.50000 $3.5
10 $3.13500 $31.35
100 $2.59050 $259.05
500 $2.11860 $1059.3
1,000 $1.80400 -
2,500 $1.71930 -
5,000 $1.65880 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 141 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7910 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 375W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

IPW65R125C7XKSA1
IPW65R099C6FKSA1
FKP300A
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$0 $/ピース
STP3NK90ZFP
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$0 $/ピース
IXTF1N450
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$0 $/ピース
DMP2123LQ-7
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SSM3J35CTC,L3F
DMN2450UFB4-7B
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$0 $/ピース
STF6N65M2
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$0 $/ピース
PJD45N06A_L2_00001

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