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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 3V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V |
| パワー - 最大 | 2W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
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