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AOI2N60A

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MOSFET N-CH 600V 2A TO251A

AOI2N60A データシート

非準拠

AOI2N60A 価格と注文

単価 外貨価格
3,500 $0.25920 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 295 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 57W (Tc)
動作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251A
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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