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AOI4S60

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MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

SOT-23

AOI4S60 データシート

非準拠

AOI4S60 価格と注文

単価 外貨価格
3,500 $0.54450 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 263 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 56.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251A
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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