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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 20A (Ta), 40A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 4.5V, 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 29 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±12V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 4100 pF @ 15 V |
FET機能 | Schottky Diode (Body) |
消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN-EP (3x3) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
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