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AONR21307

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MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

AONR21307 データシート

非準拠

AONR21307 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.24750 -
41060 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 24A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1995 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN-EP (3x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

C3M0120100J
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IRF6678TRPBF
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SUP60061EL-GE3
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