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AOSD62666E

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MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

非準拠

AOSD62666E 価格と注文

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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.5A (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 755pF @ 30V
パワー - 最大 2.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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