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AOUS66616

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MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8

AOUS66616 データシート

compliant

AOUS66616 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.76650 $0.7665
500 $0.758835 $379.4175
1000 $0.75117 $751.17
1500 $0.743505 $1115.2575
2000 $0.73584 $1471.68
2500 $0.728175 $1820.4375
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 33A (Ta), 92A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2870 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ UltraSO-8™
パッケージ/ケース 3-PowerSMD, Flat Leads
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関連部品番号

FCP360N65S3R0
FCP360N65S3R0
$0 $/ピース
IPB180N04S4LH0ATMA1
FQB16N25CTM
SI7450DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
ISC026N03L5SATMA1
BUK7905-40AIE,127
RJK0451DPB-00#J5
FQA11N90
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$0 $/ピース
FDU7030BL
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$0 $/ピース
SQJA20EP-T1_GE3
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$0 $/ピース

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