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FDB029N06

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MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

FDB029N06 データシート

非準拠

FDB029N06 価格と注文

単価 外貨価格
800 $2.49830 $1998.64
5992 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 151 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9815 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 231W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

RJK0374DSP-01#J0
FDD8796
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IXFA270N06T3
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STL16N65M5
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STWA63N65DM2
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BUK7E4R3-75C,127
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