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FDB039N06

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MOSFET N-CH 60V 120A TO263

FDB039N06 データシート

compliant

FDB039N06 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.9mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 133 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8235 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 231W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

NTD78N03
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IRFS150A
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IRF3709ZCS
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IRFIZ46N
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NVMFS5C612NLT1G
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2N7002_L99Z
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HUFA76423S3S
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