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FDB8160

FDB8160

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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

FDB8160 データシート

compliant

FDB8160 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.56000 $1.56
500 $1.5444 $772.2
1000 $1.5288 $1528.8
1500 $1.5132 $2269.8
2000 $1.4976 $2995.2
2500 $1.482 $3705
17624 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 243 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 11825 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 254W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

NTTFS4941NTWG
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$0 $/ピース
AOSN21319C
IXTA1N100
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$0 $/ピース
STS10P4LLF6
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$0 $/ピース
MCH3484-TL-H
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$0 $/ピース
IXTH130N15X4
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$0 $/ピース
FDMS8025S
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STW12NK90Z
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$0 $/ピース
XP231N02013R-G
DMTH6016LFDFWQ-13

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