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FDD2612

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MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252

FDD2612 データシート

非準拠

FDD2612 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.77000 $0.77
500 $0.7623 $381.15
1000 $0.7546 $754.6
1500 $0.7469 $1120.35
2000 $0.7392 $1478.4
2500 $0.7315 $1828.75
2261 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 720mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 234 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

DMN63D8L-13
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NTBLS4D0N15MC
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R6015ANX
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IXFK78N50P3
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SIHP18N50C-E3
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STO67N60DM6
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DMP2170U-7
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