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FDD3680

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

FDD3680 データシート

compliant

FDD3680 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.09006 -
5,000 $1.05199 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 46mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1735 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 68W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IAUA200N04S5N010ATMA1
IRL3715TRL
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$0 $/ピース
IRLZ44STRL
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AOD4132L
AO3401L
MTB50P03HDLG
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$0 $/ピース
IRFS3107PBF
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AOT11C60PL
2SK3748-1E
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$0 $/ピース
IXTC102N20T
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$0 $/ピース

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