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FDD5670

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

FDD5670 データシート

compliant

FDD5670 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.20834 -
5,000 $1.16614 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 52A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 15mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2739 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SIE804DF-T1-GE3
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$0 $/ピース
PMZ250UN,315
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$0 $/ピース
AOD4182
APT40M35JVFR
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$0 $/ピース
IXFT78N60X3HV
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$0 $/ピース
STP16NF25
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$0 $/ピース
IPS06N03LA G
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$0 $/ピース
RSS105N03TB
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$0 $/ピース
IPB200N15N3G
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$0 $/ピース
IRFR13N20DCPBF

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