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FDD5N53TM

FDD5N53TM

FDD5N53TM

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD5N53TM データシート

compliant

FDD5N53TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
1970 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 530 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 640 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

STP160N3LL
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RM4N650T2
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DMP4025LSSQ-13
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STP20N90K5
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FCPF190N60-F154
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APT13F120S
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BUK9Y38-100E,115
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RQ1A070APTR
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