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FDD6670S

FDD6670S

FDD6670S

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6670S データシート

compliant

FDD6670S 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
47486 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 64A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2010 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

STH175N4F6-6AG
STH175N4F6-6AG
$0 $/ピース
MMIX1F360N15T2
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$0 $/ピース
IRFR5505TRLPBF
BS870Q-7-F
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$0 $/ピース
NVTFS6H850NWFTAG
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$0 $/ピース
IPB60R045P7ATMA1
FDD6030BL
FDD6030BL
$0 $/ピース
TW015N120C,S1F
IXTP6N100D2
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$0 $/ピース
XP162A12A6PR-G

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