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FDD6680AS

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MOSFET N-CH 30V 55A TO252

FDD6680AS データシート

compliant

FDD6680AS 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.46863 -
5,000 $0.44649 -
12,500 $0.43068 -
10485 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 55A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1200 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FDMS86252
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NTLJS2103PTAG
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FDBL9406L-F085
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