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FDD6680S

FDD6680S

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6680S データシート

compliant

FDD6680S 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.41000 $1.41
500 $1.3959 $697.95
1000 $1.3818 $1381.8
1500 $1.3677 $2051.55
2000 $1.3536 $2707.2
2500 $1.3395 $3348.75
31202 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 55A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2010 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

TPIC5424LDW
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NTMFS6D1N08HT1G
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SIHA21N80AEF-GE3
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IRFP140PBF
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IRFBC20PBF-BE3
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