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FDD8451

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

FDD8451 データシート

非準拠

FDD8451 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.40733 -
5,000 $0.38696 -
12,500 $0.37242 -
25,000 $0.37030 -
5302 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta), 28A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 24mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 990 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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NVD5C478NLT4G
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