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FDD850N10LD

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MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4

compliant

FDD850N10LD 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.51898 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1465 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-4
パッケージ/ケース TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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関連部品番号

BUK7513-75B,127
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$0 $/ピース
STW70N10F4
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BSP316PL6327
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IRF7603TR
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SIHF22N60S-E3
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STL4P2UH7
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